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上海上港队  ?  應用  ?  工業電子  ?  三相組串式光伏逆變器

應 用

三相組串式光伏逆變器
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目前組串式光伏逆變器以其發電高效、安全可靠、管理智能、安裝方便和經濟性好等優勢在光伏逆變市場占據一席之地。在組串式光伏逆變器的解決方案中,安森美半導體有多種器件可供選擇,其中包括 SiC DIODE、SiC MOSFET、IGBT及驅動光耦等。
 
應用框圖
 
優勢
SiC 二極管
• 高浪涌電流容量
• 高熱導率
• 0 反向恢復時間
• 并聯使用容易實現

上海上港队 www.wpdjm.com.cn  

SiC MOSFET
• 高系統轉換效率
• 高系統功率密度
• 高開關速度
• 低的系統散熱要求

 

IGBT
• 低飽和電壓 Vce(sat)
• Vce(sat)[email protected]c=75A
• 支持 40kHZ 的開關頻率
• 參數分布集中,并聯使用容易實現

 

驅動光耦
• 15V~30V 的寬供電電壓范圍
• 35kV/μs 的共模干擾免疫力
• 轉換速度快,400ns(max)  傳輸延遲
• 1414V Peak 工作隔離電壓
 
主要器件
產品型號 描述 廠商 資料 購買
FFSH10120ADN-F155 共陰極碳化硅(SiC)肖特基二極管 ON Semiconductor 立即購買
FFSH15120ADN-F155 共陰極碳化硅(SiC)肖特基二極管 ON Semiconductor 立即購買
FFSH20120ADN-F155 碳化硅肖特基二極管 ON Semiconductor 立即購買
NTHL080N120SC1 N溝道碳化硅MOSFET ON Semiconductor 立即購買
FGH75T65SQDTL4 650V,75A,IGBT場截止溝槽 ON Semiconductor 立即購買
FGH75T65SQD-F155 650V,75A,場截止溝道IGBT ON Semiconductor 立即購買
FGH75T65SQDT-F155 650V,75A,場截止溝槽IGBT ON Semiconductor 立即購買
FOD3120SD 柵極驅動光電耦合器 ON Semiconductor 立即購買
FOD3184V 高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器 ON Semiconductor 立即購買
FOD3184SDV 高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器 ON Semiconductor 立即購買
 
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